UPA814T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
UPA814T |
| 參數(shù)屬性 | UPA814T 封裝/外殼為6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO |
| 功能描述 | SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
327.71 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | RENESAS |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 10:08:00 |
| 人工找貨 | UPA814T價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
UPA814T規(guī)格書詳情
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2 ′ 2SC5193) SMALL MINI MOLD
FEATURES
? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
? Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
? Large Absolute Maximum Collector Current
IC = 100 mA
? A Small Mini Mold Package Adopted
? Built-in 2 Transistors (2 ′ 2SC5193)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
UPA814T-T1
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
- 晶體管類型：
2 NPN（雙）
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
- 頻率 - 躍遷：
9GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3mA，1V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-SO
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
DIP16 |
3900 |
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NEC |
2022 |
SOT-363 / SOT-323-6 |
9200 |
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NEC |
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NEC |
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NEC |
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DIP16 |
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NEC |
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NEC |
23+ |
DIP16P |
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