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UPA800T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD TheμPA800Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPA800T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD TheμPA800Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA800T-T1

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    UPA800T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NEC
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SOT-6
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更多UPA800T-T1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-25 9:12:00