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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2747UT1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=4.5mΩ?MAX.(VGS=10V,ID=40A) ?RDS(on)2=6.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=20A) ?LowQG ?Thintypesurfacemountpackage | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
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