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UPA2731UT1A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2731UT1A
廠商型號

UPA2731UT1A

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

349.23 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-9 15:50:00

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UPA2731UT1A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2731UT1A is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for power management applications of notebook computers and Li-ion

battery protection circuit.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 3.3 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?22 A)

RDS(on)2 = 6.4 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?22 A)

? Low Ciss: Ciss = 3620 pF TYP.

? Small and surface mount package (8pin HVSON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA2731UT1A

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V 8-HVSON

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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