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UPA2560T1H-T1-AT中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2560T1H-T1-AT
廠商型號

UPA2560T1H-T1-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

267.89 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-18 19:00:00

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UPA2560T1H-T1-AT規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2560 is Dual N-channel MOSFETs designed for Back light

inverters and power management applications of portable equipments.

Dual N-channel MOSFETs are assembled in one package, to

contribute minimize the equipments.

FEATURES

? 4.5 V drive available

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A)

RDS(on)2 = 83 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2 A)

? Built-in gate protection diode

? Small and surface mount package (8-pin VSOF (2429))

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 30 V

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V

Drain Current (DC) ID(DC) ±4.5 A

Drain Current (pulse) Note1 ID(pulse) ±18 A

Total Power Dissipation (1 unit, 5 s) Note2 PT1 1.5 W

Total Power Dissipation (2 units, 5 s) Note2 PT2 2.2 W

Channel Temperature Tch 150 °C

Storage Temperature Tstg ?55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1

2. Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA2560T1H-T1-AT

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH DUAL 30V 8VSOF

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
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