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UPA1931	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T1-AT	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T1-AT	文件：456.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UPA1931TE-T2-AT	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T2-AT	文件：456.85 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
1931	文件：97.83 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component12X1COND a)Conductor18(41/34)AWGBC0.047 b)Insulation0.017Wall,Nom.EPDMRubber0.084 (1)SeparatorPaperTape,10Overlap,Min. (2)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE 2)CableAssembly2ComponentsCabled a)Tw	ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線	ALPHAWIRE
1931	文件：197 Kbytes Page：2 Pages	LinearHall-effectSensors ?GeneralDescription TheOCH1931isasmall,versatilelinear Hall-effectdevicethatisoperatedbythemagneticfield fromapermanentmagnetoranelectromagnet.The linearoutputvoltageissetbythesupplyvoltageand variesinproportiontothestrengthofthemagnetic field. Thein	ORIENT-CHIPShanghai Orient-Chip Technology Co.,LTD. 燦瑞科技上海燦瑞科技股份有限公司	ORIENT-CHIP
A1931	文件：133.11 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.4V(max) ?High-speedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SC4881	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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ALN1931AT	文件：411.01 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB

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更多UPA1931供應(yīng)商更新時間2025-7-22 10:20:00

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