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UN2E8-470M中文資料優(yōu)恩半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN2E8-470M
廠商型號

UN2E8-470M

功能描述

Single Gas Discharge Tube

絲印標識

470M

文件大小

4.04855 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡稱

UNSEMI優(yōu)恩半導體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
UNSEMI
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 14:00:00

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UN2E8-470M規(guī)格書詳情

特性 Features

Non-Radioactive

ROHS compliant

Ultra low capacitance

Low insertion loss

Excellent response to fast rising transients

10~20KA surge capability tested with 8/20μs

pulse as defined by IEC 61000-4-5

Applications

Communication equipment

CATV equipment

Test equipment

Data lines

Power suplies

Instrumentation circuits

Medical electronics

ADSL equipment

Telecom SLIC protection

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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