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UN010DN26TE中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN010DN26TE
廠商型號

UN010DN26TE

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

B123

封裝外殼

SOT-26

文件大小

5.46728 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

UNSEMI

中文名稱

優(yōu)恩半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 14:16:00

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UN010DN26TE規(guī)格書詳情

特性 Features

Advanced Trench Process Technology

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

Halogen-Free & Lead-Free

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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