UJC1206K中文資料High-Performance SiC FETs數(shù)據(jù)手冊Qorvo規(guī)格書
| 廠商型號 |
UJC1206K |
| 功能描述 | High-Performance SiC FETs |
| 制造商 | Qorvo Qorvo, Inc |
| 中文名稱 | 威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-11 10:22:00 |
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描述 Description
United Silicon Carbide’s FET products co-package its xJseries high-performance SiC JFETs with a FET optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge, but also the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive.
特性 Features
? Max. on-resistance RDS(on)max of 60m?
? Standard 12V gate drive w PV inverters
? Maximum operating temperature of 150°C
? Excellent reverse recovery
? Low gate charge
? Low intrinsic capacitance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：UJC1206K
- 生產(chǎn)廠家
：Qorvo
- V
：1200
- RDS(on) typ(mΩ)
：60
- ID Max (A)
：38
- Lifecycle
：EOL
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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