描述 Description

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 開(kāi)關(guān)管。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 9A，這有助于縮短開(kāi)關(guān)管的上升和下降時(shí)間、降低開(kāi)關(guān)損耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短傳播延遲可改善系統(tǒng)的死區(qū)優(yōu)化、控制環(huán)路響應(yīng)，提高脈寬利用率和瞬態(tài)性能，從而提高功率級(jí)效率。

UCC27332-Q1 可以在輸入端處理 –5V 的電壓，通過(guò)平緩的接地反彈提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。獨(dú)立的使能信號(hào)支持在不依賴(lài)主控制邏輯的情況下對(duì)功率級(jí)進(jìn)行控制。如果在系統(tǒng)中檢測(cè)到故障，柵極驅(qū)動(dòng)器可以快速關(guān)斷功率級(jí)（需要關(guān)斷動(dòng)力總成）。使能功能還可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。許多高頻開(kāi)關(guān)電源在電源器件的柵極都存在高頻噪音，這種噪音會(huì)進(jìn)入柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出引腳，造成驅(qū)動(dòng)器故障。UCC27332-Q1 具有瞬態(tài)反向電流和反向電壓功能，因此在上述情況下具有優(yōu)異的性能。

如果 VDD 電壓低于指定的上電復(fù)位閾值，強(qiáng)大的內(nèi)部下拉 MOSFET 可使輸出保持低電平。此有源下拉特性可進(jìn)一步改善系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封裝可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。這種小型封裝還可優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器放置并改進(jìn)布局。

特性 Features

? 符合汽車(chē)應(yīng)用要求
? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
? 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
? 器件 HBM ESD 分類(lèi)等級(jí) H2
? 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B

? 業(yè)界通用引腳排列
? 典型的 9A 灌電流、9A 拉電流輸出
? 輸入引腳可承受高達(dá) -5V 的電壓
? 絕對(duì)最大 VDD 電壓：20V
? 寬 VDD 工作范圍為 4.5V 至 18V
? 采用 3mm x 3mm MSOP8 封裝
? 典型值為 25ns 的傳播延遲
? TTL 兼容輸入閾值
? 工作結(jié)溫范圍：–40°C 至 125°C