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TW030N120C中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
TW030N120C |
| 功能描述 | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS |
| 文件大小 |
525.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 18:49:00 |
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TW030N120C規(guī)格書詳情
特性 Features
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 1200 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 30 m
? (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I
D = 13 mA)
(6) Enhancement mode.
Applications
? Switching Voltage Regulators
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TST |
23+ |
SMD |
56000 |
TST全系列在售,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
TST |
23+ |
SMD |
25000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) | ||
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
SIC芯片新能源供應(yīng)全新正品 |
詢價(jià) | ||
SAMTEC |
新 |
10952 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA |
5 |
詢價(jià) | |||||
TOSHIBA |
24+ |
con |
5 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格 |
詢價(jià) | ||
TST |
20+ |
DNA |
2391 |
公司現(xiàn)貨,有掛就有貨。 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
2025+ |
12420 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
54000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
SAMTEC |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) |
