TW015N65C中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
TW015N65C |
| 功能描述 | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS |
| 文件大小 |
523.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 15:13:00 |
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TW015N65C規(guī)格書(shū)詳情
特性 Features
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 650 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 m
? (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I
D = 11.7
mA)
(6) Enhancement mode.
Applications
? Switching Voltage Regulators
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tekram |
16+ |
QFP |
890 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
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TOSHIBA |
2025+ |
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TST |
23+ |
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華南總代 |
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Toshiba |
23+ |
TO-247 |
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