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TSM1NB60S

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM1NB60SCT

N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

S1NB60

1AMPMINIATUREBRIDGERECTIFIERS

1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications

DEC

DIOTEC Electronics Corporation

S1NB60

GeneralPurposeRectifiers(600V1A)

Feature ?Small-SMD or ?Small-DIP

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會(huì)社

STD1NB60

N-CHANNEL600V-7.4ohm-1A-IPAK/DPAKPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD1NB60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

T1NB60

BridgeRectifier

SIPOWER

SiPower Inc.

T1NB60

BridgeRectifier

SIPOWER

SiPower Inc.

TSM1NB60

N-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM1NB60

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TSM1NB60S

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 0.5A N Channel Mosfet

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TSC
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更多TSM1NB60S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 11:00:00

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