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UM821ZBE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZCE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司	UNIONSEMI
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UPA821TC	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheμPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES ?Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPA821TF	文件：225.22 Kbytes Page：18 Pages	SILICONTRANSISTOR HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR (WITHBUILT-IN6-PIN2u2SC4226)THIN-TYPESMALLMINIMOLD FEATURES ?Low-noise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?Highgain IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?6-pinthin-typesmall	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA821TF	文件：40.07 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA821TFhastwobuilt-inlow-voltagetransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband.Thetwodiearechosenfromadjacentlocationsonthewafer.Thesefeaturescombinedwiththepinconfigurationmakethisdeviceidealforbalancedormirrored	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
V-821PVF	文件：213.25 Kbytes Page：1 Pages	SURGEPROTECTOR	OKAYAOKAYA ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 岡谷電機(jī)工業(yè)株式會社	OKAYA
VCA821	文件：1.68608 Mbytes Page：38 Pages	Ultra-Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearindBVARIABLEGAINAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
VCA821	文件：899.33 Kbytes Page：35 Pages	Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearinV/VVARIABLEGAINAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
VCA821ID	文件：1.64483 Mbytes Page：37 Pages	Ultra-Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearindBVARIABLEGAINAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1

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