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首頁(yè)>TS3DDR4000ZBAR>規(guī)格書(shū)詳情

TS3DDR4000ZBAR集成電路(IC)的模擬開(kāi)關(guān)-特殊用途規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TS3DDR4000ZBAR
廠商型號(hào)

TS3DDR4000ZBAR

參數(shù)屬性

TS3DDR4000ZBAR 封裝/外殼為48-TFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的模擬開(kāi)關(guān)-特殊用途;TS3DDR4000ZBAR應(yīng)用范圍:存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA

功能描述

12-bits 1:2 High Speed DDR2/DDR3/DDR4 Switch/Multiplexer

封裝外殼

48-TFBGA

文件大小

697.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TI1德州儀器

中文名稱

美國(guó)德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-18 22:59:00

人工找貨

TS3DDR4000ZBAR價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TS3DDR4000ZBAR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 模擬開(kāi)關(guān) - 特殊用途

  • 包裝:

    管件

  • 應(yīng)用:

    存儲(chǔ)器

  • 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:

    2:1

  • 導(dǎo)通電阻(最大值):

    11.2 歐姆

  • 電壓 -?電源,單 (V+):

    2.375V ~ 3.6V

  • -3db 帶寬:

    5.6GHz

  • 特性:

    DDR2,DDR3,DDR4

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-NFBGA(8x3)

  • 描述:

    IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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