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TS1910CSRLG	文件：188.12 Kbytes Page：8 Pages	680kHz/1.2MHz High Voltage Boost Converter	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
UC1910	文件：222.85 Kbytes Page：6 Pages	4-BitDACandVoltageMonitor	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
UC1910	文件：250.12 Kbytes Page：7 Pages	4-BitDACandVoltageMonitor	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
UM1910	文件：1.04567 Mbytes Page：12 Pages	GettingstartedwiththehighpowersteppermotordriverexpansionboardbasedonpowerSTEP01forSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
UPA1910	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES ?Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA1910	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES ?Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPA1910TE	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES ?Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPA1910TE	文件：445.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UPA1910TE	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES ?Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
VDA1910CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導體安納森半導體香港有限公司	ANASEM

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