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TRS3E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TRS3E65H
廠商型號

TRS3E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標識

S3E65H

封裝外殼

TO-220-2L

文件大小

415.57 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 19:36:00

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TRS3E65H規(guī)格書詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

特性 Features

Chip design of 3rd generation

Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

Low total capacitive charge: Qc = 9nC (typ.)

Low reverse current: IR = 0.4 μA (typ.)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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