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TPS1120DG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TPS1120DG4

  • 功能描述：

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI/TEXAS
23+
原廠封裝
8931
詢價
TI
24+
300
詢價
TI
1809+
SOP-8
1675
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
TI
22+
8SOIC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
TI/德州儀器
23+
8-SOIC
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
TI
2025+
SOIC-8
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
 詢價
TI
24+/25+
871
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
TI
11+
SOP-8
8000
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 詢價
TI
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2020+
SOP8
2490
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多TPS1120DG4供應商 更新時間2025-7-22 14:01:00

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