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TPS1120D.A

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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TPS1120D.B

DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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TPS1120DR

DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS

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LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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更多TPS1120D.A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-19 14:01:00

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