TPR175分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
TPR175 |
參數(shù)屬性 | TPR175 封裝/外殼為55CX;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX |
功能描述 | NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR |
封裝外殼 | 55CX |
文件大小 |
23.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ASI |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-1 11:28:00 |
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TPR175規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI TPR175 is a common base transistor Designed for pulsed systems in the frequency band 1030-1090 MHz.
FEATURES:
? Common Base
? Internal Matching Network
? PG = 8.0 dB at 175 W/1090 MHz
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TPR175
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
55V
- 頻率 - 躍遷:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
8dB ~ 9dB
- 功率 - 最大值:
290W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 20mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
9A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
55CX
- 供應(yīng)商器件封裝:
55CX
- 描述:
RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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