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TPR1000

high power COMMON BASE bipolar transistor.

GENERALDESCRIPTION TheTPR1000isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1090MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputreturnsforfastrisetime.Lowthermalresistance

GHZTECH

GHz Technology

TPR1000

Active Power Rail Probes

ActivePowerRailProbes TheTPR1000andTPR4000probesprovidealownoise,largeoffsetrangesolutionformeasurementofrippleonDCpowerrailsrangingfrom–60to+60VDC.Tektronix’spowerrailprobesofferindustryleadinglownoiseandhighoffsetrangerequiredtomeasureACripplebetw

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中國)有限公司

TPR1000

4 Series MSO Mixed Signal Oscilloscope Datasheet

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中國)有限公司

TPR1000

1000 Watts, 45 Volts, Pulsed Avionics 1090 MHz

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

TPR1000

1000 W, 45 V, 1090 MHz common base transistor;

GHz Technology

GHz Technology

TPR1000

Package：55KV；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TPR1000

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.09GHz

  • 增益：

    6dB

  • 功率 - 最大值：

    2900W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55KV

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55KV

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原廠
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更多TPR1000供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:12:00

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