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TPN4R712MD中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPN4R712MD
廠商型號

TPN4R712MD

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

文件大小

751.64 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 9:14:00

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TPN4R712MD規(guī)格書詳情

Applications

? Lithium-Ion Secondary Batteries

? Power Management Switches

特性 Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -20 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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