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TPN1110ENH數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

TPN1110ENH

功能描述

Power MOSFET (N-ch 150V VDSS 250V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 20:00:00

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TPN1110ENH規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:High efficiency DC/DC converters / Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:馬來西亞

特性 Features

Drain current ID 13 A
Power Dissipation PD 39 W
Drain-Source voltage VDSS 200 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :TPN1110ENH

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :200

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :13

  • PD(W)

    :39

  • Ciss(pF)

    :460

  • Qg(nC)

    :7.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.114

  • Number of pins

    :8

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :TSON Advance

  • Generation

    :U-MOSⅧ-H

  • Type

    :High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm)

    :3.3 x 3.3 x 0.85

  • Package Size(mm^2)

    :10.89

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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