描述 Description

TPL7407LA-Q1 是一款高壓、高電流 NMOS 晶體管陣列。這個(gè)器件包含 7 個(gè)具有高壓輸出的 NMOS 晶體管，這些晶體管具有針對(duì)開關(guān)電感負(fù)載的共陰極鉗位二極管。單個(gè) NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600mA。器件添加了新的調(diào)節(jié)和驅(qū)動(dòng)電路，可在全部 GPIO 范圍（1.8V 至 5V）提供最大驅(qū)動(dòng)能力。這些晶體管還可以通過采用并聯(lián)方式來提供更高的電流。

相比雙極達(dá)林頓晶體管實(shí)施，TPL7407LA-Q1 的主要優(yōu)勢(shì)在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依賴于較低的 VOL，功率耗散比傳統(tǒng)繼電器驅(qū)動(dòng)器減少一半，每通道的電流低于 250mA。

特性 Features

? 符合汽車類應(yīng)用的 標(biāo)準(zhǔn)
? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
? 器件溫度 1 級(jí)：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
? 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
? 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B

? 600mA 額定漏極電流（每通道）
? 7 通道達(dá)林頓晶體管陣列 CMOS 引腳對(duì)引腳改善（例如：ULN2003A）
? 能效（極低 VOL）
? 電流為 100mA 時(shí)，VOL 低于達(dá)林頓晶體管陣列的四分之一

? 輸出泄露極低，每通道小于 10nA
? 高壓輸出 30V
? 與 1.8V 和 5V 微控制器和邏輯接口兼容
? 用于提供電感反沖保護(hù)的內(nèi)部自振蕩二極管
? 可借助輸入下拉電阻器實(shí)現(xiàn)三態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器
? 用來消除嘈雜環(huán)境中的雜散運(yùn)行的輸入 RC 緩沖器
? ESD 保護(hù)性能超出 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
? 2kV HBM，500V CDM