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DMN26D0UFB4	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?N-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresho	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?N-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresho

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