TPC8A03-H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
TPC8A03-H |
| 功能描述 | TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode |
| 文件大小 |
217.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 14:52:00 |
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? Built-in schottky barrier diode
Low forward voltage: VDSF = ?0.6 V (max)
? High-speed switching
? Small gate charge: QSW = 8.4 nC (typ.)
? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 4.1 mΩ (typ.)
? High forward transfer admittance: |Yfs| = 54 S (typ.)
? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)
? Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
TPC8A03-H
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
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