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TPC8206中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPC8206
廠商型號

TPC8206

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)

文件大小

223.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 19:00:00

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TPC8206規(guī)格書詳情

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

● Small footprint due to small and thin package

● Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 40 m? (typ.)

● High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.0 S (typ.)

● Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

● Enhancement-mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TPC8206

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(U-MOSII)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
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