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TPC8127數據手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

TPC8127

功能描述

Power MOSFET (P-ch single)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-23 23:01:00

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TPC8127規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:Power management switches / Lithium-Ion secondary batteries
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:馬來西亞

特性 Features

Drain current ID -13 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS -25/+20 V

技術參數

  • 型號:

    TPC8127

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH MOSFET -30V DC -13A -10uA 5mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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