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TPC8119中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TPC8119
廠商型號(hào)

TPC8119

功能描述

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSV)

文件大小

206.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 12:00:00

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TPC8119規(guī)格書詳情

Lithium-Ion Battery Applications

Load switch Applications

Notebook PC Applications

? Small footprint due to a small and thin package

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 10 m?(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 24 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS= ?30 V)

? Enhancement mode: Vth= ?0.8 to ?2.0 V (VDS= ?10 V, ID= ?1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TPC8119

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOSV)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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