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TPC6009-H數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

TPC6009-H

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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TPC6009-H規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Application Scope:Mobile equipments
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅥ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:馬來(lái)西亞

特性 Features

Drain current ID 5.3 A
Power Dissipation PD 2.2 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    TPC6009-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V FET 5.3A 2.2W 225pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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