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TP0610T

Marking：T50*；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu

SUTEX

Supertex, Inc

TP0610T

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?High-SideSwitching ?LowOn-Resistance:8 ?LowThreshold:?1.9V ?FastSwitchingSpeed:16ns ?LowInputCapacitance:15pF BENEFITS ?EaseinDrivingSwitches ?LowOffset(Error)Voltage ?Low-VoltageOperation ?High-SpeedSwitching ?EasilyDrivenWithoutBuffer AP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

TP0610T

Marking：T50*；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs

GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu

SUTEX

Supertex, Inc

TP0610T

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

TP0610T

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

TP0610T-G

P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs

GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu

SUTEX

Supertex, Inc

TP0610T-T1

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

TP0610TG

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

TP0610T-T1-E3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

TP0610T-T1-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TP0610T

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 0.12A 0.36W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
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SOT23-3
20300
VISHAY/威世原裝特價TP0610T即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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VISHAY
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更多TP0610T供應商 更新時間2025-7-10 20:24:00

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