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TN0110N3中文資料SUTEX數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TN0110N3
廠商型號

TN0110N3

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

文件大小

27.58 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

SUTEX

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-23 23:01:00

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TN0110N3規(guī)格書詳情

特性 Features

■ Low threshold — 2.0V max.

■ High input impedance

■ Low input capacitance — 50pF typical

■ Fast switching speeds

■ Low on resistance

■ Free from secondary breakdown

■ Low input and output leakage

■ Complementary N- and P-channel devices

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TN0110N3

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 3Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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