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首頁(yè)>TMJD112D>規(guī)格書詳情

TMJD112D數(shù)據(jù)手冊(cè)Galaxy中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

TMJD112D

功能描述

100V,2A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名稱

銀河微

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :TMJD112D

  • 生產(chǎn)廠家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :YES

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • V(BR)CEO(V)min.

    :100

  • IC(A)

    :2

  • hFEmin.

    :1000

  • hFEmax.

    :12000

  • VCE (sat)(V)

    :3

  • IB(mA)

    :40

  • PD(W)max.

    :1.5

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :雙極型晶體管

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