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TMCS1123數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

TMCS1123

功能描述

±1100V reinforced isolation, 75ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference and ALERT

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 8:18:00

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TMCS1123規(guī)格書詳情

描述 Description

TMCS1123 是一款電隔離霍爾效應(yīng)電流傳感器,具有業(yè)界出色的隔離功能和精度。該器件還提供與輸入電流成正比的輸出電壓,且在所有靈敏度選項(xiàng)下均具有出色的線性度和低漂移。具有內(nèi)置漂移補(bǔ)償功能的精密信號(hào)調(diào)節(jié)電路能夠在沒有系統(tǒng)級(jí)校準(zhǔn)的情況下,在溫度和壽命范圍內(nèi)的最大總誤差小于 1.75%,或在一次性室溫校準(zhǔn)(同時(shí)包括壽命和溫度漂移)的情況下的最大總誤差小于 1%。

交流或直流輸入電流流經(jīng)內(nèi)部導(dǎo)體,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)可由集成式片上霍爾效應(yīng)傳感器進(jìn)行測(cè)量。無磁芯結(jié)構(gòu)消除了對(duì)磁集中器的需求。差分霍爾傳感器可抑制外部雜散磁場(chǎng)產(chǎn)生的干擾。低導(dǎo)體電阻將可測(cè)量電流范圍提高至 ±96A,同時(shí)更大程度地降低功率損耗并降低散熱要求。絕緣能夠承受 5000V RMS,加上最小 8.1mm 的爬電距離和間隙,可提供高達(dá) 1100V DC 的可靠壽命增強(qiáng)型工作電壓。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬態(tài)抗擾度。

固定的靈敏度允許 TMCS1123 使用單個(gè) 3V 至 5.5V 的電源運(yùn)行,因此消除了比例式誤差并提高了電源噪聲抑制能力。

特性 Features

? High continuous current capability: 75 A RMS
? Withstand isolation voltage: 5000 V RMS
? High accuracy
? Sensitivity drift: 20 ppm/°C
? Offset drift: 5 μV/°C
? Low lifetime drift: 0.5% (maximum)
? Precision zero-current reference output
? Low propagation delay: 600 ns
? Operating supply range: 3 V to 5.5 V
? Multiple sensitivity options:
? TMCS1123x2: 50 mV/A
? TMCS1123x4: 100 mV/A
? Safety related certifications (planned)
? IEC/CB 62368-1

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :TMCS1123

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Input offset current (±) (max) (mA)

    :40

  • Input offset current drift (±) (typ) (μA/°C)

    :133

  • Features

    :Alert Function

  • Supply voltage (max) (V)

    :5.5

  • Supply voltage (min) (V)

    :3

  • Small-signal bandwidth (Hz)

    :250000

  • Sensitivity error (%)

    :0.3

  • Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C)

    :50

  • Rating

    :Catalog

  • Operating temperature range (°C)

    :-40 to 125

  • Creepage (min) (mm)

    :8.1

  • Clearance (min) (mm)

    :8.1

  • Isolation rating

    :Reinforced

  • Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK)

    :10000

  • 封裝

    :SOIC (DVG)

  • 引腳

    :10

  • 尺寸

    :106.09 mm2 10.3 x 10.3

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