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UPA2721AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) ?Lowinputcapacitance C

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2721GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=4.5V,

RENESASRenesas Technology Corp

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UPC2721

GENERALPURPOSEL-BANDDOWNCONVERTERICs

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC2721GR

SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER

DESCRIPTION TheμPC2721/2722areSiliconmonolithicICsdesignedforL-banddownconverter.TheseICsconsistofdoublebalancedmixer,localoscillator,localoscillationbufferamplifier,IFamplifier,andvoltageregulator. Thepackagesare8pinSOPorSSOPsuitableforhigh-densitysurf

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UPC2721GV

SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER

CEL

California Eastern Labs

UPC2721GV

SILICONMMICLBANDDOWNCONVERTER

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    TLV2721CDBVT

  • 功能描述:

    運算放大器 - 運放 Single LinCMOS R-To-R Very Lo-Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 通道數(shù)量:

    4

  • 共模抑制比(最小值):

    63 dB

  • 輸入補償電壓:

    1 mV

  • 輸入偏流(最大值):

    10 pA

  • 工作電源電壓:

    2.7 V to 5.5 V

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 轉換速度:

    0.89 V/us

  • 關閉:

    No

  • 輸出電流:

    55 mA

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT23-5
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SOT23-5
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原廠原裝
4683
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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更多TLV2721CDBVT供應商 更新時間2025-7-28 15:30:00