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TK8A50D

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK8A50D

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k8a50d/marking.html">K8A50D；Switching Regulator Applications

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK8A50D

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK8A50D

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V); Drain current ID 8 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國(guó) / 馬來(lái)西亞\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK8A50DA

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V); Drain current ID 7.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來(lái)西亞\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK8A50DA

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK8A50DA

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    500

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    8.0

  • PD(W)：

    40

  • Ciss(pF)：

    800

  • Qg(nC)：

    16

  • =10V：

    0.85

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-220SIS

  • Generation：

    π-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm)：

    10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)：

    150.00

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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TO-220F
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TOS進(jìn)口原
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TO-220F
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更多TK8A50D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:12:00

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