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TK80E08K3中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TK80E08K3
廠商型號

TK80E08K3

功能描述

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U??OS??

文件大小

311.32 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 13:28:00

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■ E-Bike/UPS/Inverter

● Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 m? (typ.)

● High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.)

● Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 75 V)

● Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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