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TK6A80E

絲印：K6A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.35Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.6mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK6A80E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK6A80E

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS); Drain current ID 6 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 800 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅧ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

6A80

STANDARDRECTIFIER

Features ·DiffusedJunction ·LowForwardVoltageDrop ·HighCurrentCapability ·HighReliability ·HighSurgeCurrentCapability

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

6A80

STANDARDRECTIFIER

Features ·TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ·Highforwardcurrentcapability ·Highsurgecurrentcapability ·Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ·Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10seconds, 0.375(9.5mm

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

6A80

PLASTICSILICONRECTIFIER

FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Diffusedjunction EasilycleanedwitnFreon,Alcohol,lsopropanol andsimilarsolvents TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽電子三陽電子有限公司

6A80

6.0AMPS.SiliconRectifiers

VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES *Lowforwardvoltagedrop *Highcurrentcapability *Highreliability *Highsurgecurrentcapability

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

6A80

6.0AMPS.SiliconRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

6A80

LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps

LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

6A80

6.0AMPS.SiliconRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

技術參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    800

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    6.0

  • PD(W)：

    45

  • Ciss(pF)：

    1350

  • Qg(nC)：

    32

  • =10V：

    1.7

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-220SIS

  • Generation：

    π-MOSⅧ

  • Width×Length×Height(mm)：

    10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)：

    150.00

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba
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更多TK6A80E供應商 更新時間2025-7-29 10:16:00

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