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TK62N60W

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 61.8 A \nPower Dissipation PD 400 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK62N60W

Switching Voltage Regulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK62N60W

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK62N60W5

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 61.8 A \nPower Dissipation PD 400 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK62N60W5

絲印：K62N60W5；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=170ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.036Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK62N60W5

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    600

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    61.8

  • PD(W)：

    400

  • Ciss(pF)：

    6500

  • Qg(nC)：

    180

  • =10V：

    0.04

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-247

  • Generation：

    DTMOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm)：

    15.94 x 20.95 x 5.02

  • Package Size(mm^2)：

    333.94

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK62N60W供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:20:00

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