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TK60E08K3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

TK60E08K3
廠商型號

TK60E08K3

參數(shù)屬性

TK60E08K3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 23:00:00

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TK60E08K3規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TK60E08K3,S1X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    60A

  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):

    9 毫歐 @ 30A,10V

  • 功率耗散(最大值):

    128W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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