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FQP3P50	文件：787.78 Kbytes Page：8 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP3P50	文件：640.4 Kbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF3P50	文件：620.44 Kbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
GV3P50	文件：179.25 Kbytes Page：8 Pages	Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,37-50A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
K3P50D	文件：2.03255 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KQD3P50	文件：63.69 Kbytes Page：2 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KSMD3P50	文件：1.28306 Mbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3P50	文件：1.28306 Mbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

詳細參數(shù)

型號：
TK3P50D
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET N CH 500V 3A DPAK
功能描述：
MOSFET, N CH, 500V, 3A, DPAK
功能描述：
MOSFET, N CH, 500V, 3A, DPAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3A; Drain Source Voltage
Vds：
500V; On Resistance
Rds(on)：
2.3ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
60W; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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