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TK39J60W5中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TK39J60W5
廠商型號

TK39J60W5

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標識

K39J60W5

封裝外殼

TO-3P

文件大小

238.72 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 8:24:00

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TK39J60W5規(guī)格書詳情

Applications

? Switching Voltage Regulators

特性 Features

(1) Fast reverse recovery time: trr = 150 ns (typ.)

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.062 Ω (typ.)

by using Super Junction Structure : DTMOS

(3) Easy to control Gate switching

(4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.9 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TK39J60W5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba
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