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TK35A65W

Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.068Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=2.1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK35A65W5

Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=130ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.08Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK35A65W5

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 35 A \nPower Dissipation PD 50 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK35A65W5

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    650

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    35

  • PD(W)：

    50

  • Ciss(pF)：

    4100

  • Qg(nC)：

    115

  • =10V：

    0.095

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-220SIS

  • Generation：

    DTMOSⅣ

  • Type：

    High-speed diode

  • Width×Length×Height(mm)：

    10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)：

    150.00

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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TO-220F
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10年以上分銷商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多TK35A65W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:46:00

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