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TK32E12N1,S1X_TOSHIBA/東芝_MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC艾睿半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    TK32E12N1,S1X

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA(東芝)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    105000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220(TO-220-3)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2447

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-8-16 15:01:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：TK32E12N1,S1X品牌：TOSHIBA(東芝)

50個(gè)/管一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期

  • 芯片型號(hào)：

    TK32E12N1,S1X

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    TK32E12N1,S1X

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    Amy

  • 手機(jī)：

    15813737183

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    15813737183

  • 地址：

    深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南七道138號(hào)惠恒大樓一期西側(cè)3142

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