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TK30A06N1數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

TK30A06N1

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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TK30A06N1規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中國(guó)

特性 Features

Drain current ID 43 A
Power Dissipation PD 25 W
Drain-Source voltage VDSS 60 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :TK30A06N1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :60

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :43

  • PD(W)

    :25

  • Ciss(pF)

    :1050

  • Qg(nC)

    :16

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.015

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220SIS

  • Generation

    :U-MOSⅧ-H

  • Type

    :High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm)

    :10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)

    :150.00

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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