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TK2P60D

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK2P60D

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 60 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK2P60D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TK2P60D

Switching Regulator Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RM2P60Y

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=-60V,ID=-1.9A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

SR2P60

2.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一電子山東迪一電子科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    600

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    2.0

  • PD(W)：

    60

  • Ciss(pF)：

    280

  • Qg(nC)：

    7.0

  • =10V：

    4.3

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    New PW-Mold

  • Generation：

    π-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

  • Package Size(mm^2)：

    61.75

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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NewPW-Mold
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更多TK2P60D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:14:00

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