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TK18E10K3,S1X(S

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

ITK18E10K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.44 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

ISC

無錫固電

TK18E10K3

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 頁數(shù):73 Pages

TOSHIBA

東芝

TK18E10K3

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:942.05 Kbytes 頁數(shù):3 Pages

DOINGTER

杜因特

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    U-MOSIV

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    18A(Ta)

  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):

    42 毫歐 @ 9A,10V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK18E10K3,S1X供應(yīng)商 更新時間2025-9-7 15:01:00