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TK17N65W

絲印：K17N65W；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.17Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.9mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK17N65W

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 17.3 A \nPower Dissipation PD 165 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK17N65W

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HMS17N65

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HMS17N65D

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HMS17N65F

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    N-ch

  • VDSS(V)：

    650

  • VGSS(V)：

    +/-30

  • ID(A)：

    17.3

  • PD(W)：

    165

  • Ciss(pF)：

    1800

  • Qg(nC)：

    45

  • =10V：

    0.2

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name(Toshiba)：

    TO-247

  • Generation：

    DTMOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm)：

    15.94 x 20.95 x 5.02

  • Package Size(mm^2)：

    333.94

  • Drive voltage type：

    10V Gate Drive

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK17N65W供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:08:00

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