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TK13E25D數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

TK13E25D

功能描述

Power MOSFET (N-ch 150V VDSS 250V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 17:30:00

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TK13E25D規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中國(guó)

特性 Features

Drain current ID 13 A
Power Dissipation PD 102 W
Drain-Source voltage VDSS 250 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    TK13E25D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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