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TK10J80E中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TK10J80E
廠商型號

TK10J80E

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標(biāo)識

K10J80E

封裝外殼

TO-3P

文件大小

230.78 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-4 17:41:00

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TK10J80E規(guī)格書詳情

Applications

? Switching Voltage Regulators

特性 Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 Ω (typ.)

(2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
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